SJ 50033.113-1996 半导体光电子器件GD3252Y型光电二极管详细规范
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ID： |
31E814406CBF4C4EB2CFF3B63F0C0C20 |
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文件大小(MB)： |
0.61 |
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页数： |
8 |
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日期： |
2024-7-27 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,半导体光电子器件,GD3252Y型光电二极管详细规范,SJ 50033/113-96,Semiconductor optoelectronic devices,Detail specification for type GD3252Y photodiodes,范,1.I 主题内容,本规范规定了 GD 3252Y型光电二极管(以下简称器件)的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,1.3.1 器件等级,本规范所提供的器件保证等级按GJB 33《半导体分立器件总规范》的规定,从低到高分为,普军级(GP)和特军级(GT)两级,2引用文件,GB 11499-89,GJB 33 - 85,GJB 128 - 86,GJB 597 - 8i,SJ 2354-83,半导体分立器件文字符号,半导体分立器件总规范,半导体分立器件试验方法,微电路总规范,PIN、雪崩光电二极管测试方法,SJ/Z 9014.2-87 半导体器件 分立器件和集成电路第5部分 光电子器件,3要求,3.1 详细要求,各条要求应符合GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应符合GJB 33和本规范的规定,芯片结构为PINJ也可按合,同的要求提供不同于图1规定的外形尺寸(见6.2条),中华人民共和国电子工业部1996-08-30发布1997-01-01 实施,一］一,SJ 50033/113-96,图1外形尺寸,mm,尺寸符号最小值最大值,D 13.5 14.5,D1 12.0 12.4,D2 9.8 10.2,D3 0.4 0.6,b 7.62（标称值）,h 3.6 4.2,hl 0.6 0.8,L 20,3.2.1 器件芯片材料,芯片材料为硅,3.2.2 引出端排列,3.2.3封装形式,筲脚1 2,接线正极负极（接外壳）,全密封金属管壳平面玻璃窗口 〇,3.2.4 引线长度,可按合同的要求（见6.2条）提供引线长度不同于图1规定的器件,3.3 引线材料及涂层,引线材料为可伐合金,引线涂层应镀金。也可按合同要求（见6.2条）选择涂层,3.4 最大额定值和主要光电特性,3.4.I最大额定值,2,SJ 50033/113-96,丁,丄amb,r c,71),J aid,c,If,mA,Vr,V,P tot,mW,一 45 .85 -55-100 260 10 10 20,注:1）最长焊接时间不超过5s,至管壳的最短距离5mm,3.4.2主要光电特性（Tamb = 25じ）,特 性符号条 件,极限值,单位,最小最 大,暗电流^R(D) % = 0, VR = 10mV 1.0 nA,高温下的暗电流/r（d） Ee-0, VR=10mV, 7\扁=85匕300 nA,灵敏度s ￡e = 5/x W/mm2 VR = lOmV,A = 0.90/zm,0.5 国例,峰值响应波长スp Eg 二 5MW/mm2 VR = lOmV 0.92 0.95 “m,光谱响应波长范围Al——スh Ee-5MW/mm2 VR = lOmV 最,短和最长波长下的灵敏度至少,应为峰值响应波长灵,敏度的,1/10 ',0.40 1.10 pm,噪声等效功率NEP Ee = 5MW/mm2 VR = 10mV,ス=0.90mm f~ 1kHz,△f=lHz,1.3X10-14,W-Hz~1/2,上升时间,了降时间,し,力,Ee = Im W/mm2 VR = lOmV,ス=0.90^tm,Rl- 500,3,3,MS,MS,总电容Ctot VR=10mV,y=lMHz 40 pF,反向击穿电压Vbr /r =lOOpA 20 V,光敏元面积ム6X6（标称值） mm2,3.5标志,器件的标志应符合GJB 33的规定,4质量保证规定,4.1抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,4.1.1 表2Al分组进行检验和试验的器件可以用于A2分组的检验和试验,A2分组进行检验,和试验的器件可以用于A3、A4和A7分组的检验和试验;通过A组各分组检验和试验的器,件,可以作为检验和试验抽样的母体,鉴定试验总样品量（指通过A组检验批的数量）至少应,等于抽样数的L5倍,抽样表可以采用GJB 597中的小数量抽样表,4.1.2 表3B1分组、B4分组的检验和试验可以采用光电特性不符合3.4.2条要求的器件,4.1.3 按表4cl分组进行检验的器件可以用于表4C2分组的检验和试验,3,SJ 50033/113-96,4.2 筛选（仅对GT级）,GT级器件应按GJB 33和本规范表1中规定的步骤和条件进行百分之百的筛选试验,并,按GJB 33的有关规定处理,4.3 鉴定检验,鉴定检验应符合GJB 33和本规范表2、表3和表4的规定,4.4 质量一致性检验,质量一致性检验应包括A组、B组和C组中规定的检验和试验,4.5 检验和试验方法,检验和试验方法应按表2、表3、表4和表5的规定进行,4.6 检验数据,如果合同中已作规定（见6.2条）,制造厂应将质量一致性检验数据连同产品一起提供,表1筛选的步骤和条件（仅对GT极）,检验和试验符号方 法,最小,极限值,最大,单位,1.内部目检,（封帽前）,GJB 128,2074,条件,2.高温寿命GJB 128,1032 丁糧=100匕 z = 72h,（不工作）,3.热冲击,（温度循环）,GJB 128.1051,7.电老化,4,恒定加速度,b.粗检漏,6.中间光电参数,测试,暗电流,灵敏度,5.密封,a.细检漏,G……
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